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Taiwan Semiconductor

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S20AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 20 V - Breakdown-Spannung min/max: 22,2/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S18AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 18 V - Breakdown-Spannung min/max: 20,0/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S10AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 10 V - Breakdown-Spannung min/max: 11,1/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S11AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 11 V - Breakdown-Spannung min/max: 12,2/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD5S14AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 14 V - Breakdown-Spannung min/max: 15,6/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD5S16AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 16 V - Breakdown-Spannung min/max: 17,8/...
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TSC - 203 dpi - Druckkopf
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S15AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 15 V - Breakdown-Spannung min/max: 16,7/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD5S26AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 26 V - Breakdown-Spannung min/max: 28,9/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD5S36AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 36 V - Breakdown-Spannung min/max: 40,0/...
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