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Taiwan Semiconductor

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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD5S10AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 10 V - Breakdown-Spannung min/max: 11,1/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S40AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 40 V - Breakdown-Spannung min/max: 44,4/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S28AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 28 V - Breakdown-Spannung min/max: 31,1/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD8S43AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 43 V - Breakdown-Spannung min/max: 47,8/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD5S18AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 18 V - Breakdown-Spannung min/max: 20,0/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S16AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 16 V - Breakdown-Spannung min/max: 17,8/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD5S43AH
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S36AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 36 V - Breakdown-Spannung min/max: 40,0/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD5S22AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 22 V - Breakdown-Spannung min/max: 24,4/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD5S30AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 30 V - Breakdown-Spannung min/max: 33,3/...
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TAIWAN SEMICONDUCTOR TVS-Diode TLD6S20AH
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Hochleistungs-TVS-Diode im DO-218AB-Gehäuse. Technische Daten: - Arbeitsspannung: 20 V - Breakdown-Spannung min/max: 22,2/...
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